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MOS管AON7292_AON7292参数_AON7292中文资料pdf

发布时间:2020-02-14 13:53人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON7292样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON7292顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON7292引脚图

免费提供MOS管AON7292参数以及AON7292中文资料和AON7292中文资料pdf下载阅读观看!


说明

最新沟槽功率晶体管技术

极低无线电数据率(开)

低栅极电荷

针对快速切换应用进行了优化

符合RoHS和无卤素标准


产品摘要

VDS   100V

ID (at VGS = 10V)   23A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <24mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V)   <32mΩ


MOS管AON7292参数

品牌:AOS

型号:AON7292

批号:19+

封装:DFN 3.3x3.3 EP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):15A(Ta),50A(Tc)

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.4V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):38nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2075pF@50V

FET功能:-

功率耗散(最大值):6.25W(Ta),83W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):12.6毫欧@15A,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3)

封装/外壳:8-PowerWDFN


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