您好,欢迎访问深圳市富荣达科技有限公司!
13424229608
深圳市富荣达科技有限公司
您的位置:主页 > 产品中心 > DFN3.3x3.3系列 >

MOS管AON7405_AON7405参数_AON7405中文资料pdf

发布时间:2020-02-14 16:57人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON7405样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON7405顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON7405引脚图

免费提供MOS管AON7405参数以及AON7405中文资料和AON7405中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AON7405采用先进的沟槽技术以低栅极电荷提供出色的RDS(开)。该设备是负载开关和电池保护的理想选择应用程序。

符合RoHS和无卤素标准。


产品摘要

VDS   -30V

ID (at VGS = -10V)   -50A

RDS(ON) (at VGS = -10V)   <6.2mΩ

RDS(ON) (at VGS = -6V)   <8.9mΩ 


MOS管AON7405参数

品牌:AOS

型号:AON7405

批号:19+

封装:DFN 3.3x3.3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:P沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):25A(Ta),50A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.8V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):51nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2940pF@15V

栅源电压 Vgss:±25V

FET功能:-

功率耗散(最大值):6.25W(Ta),83W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):6.2毫欧@20A,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3)

封装/外壳:8-PowerWDFN


推荐资讯

在线客服
电话询价
微信询价