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MOS管AON7442_AON7442参数_AON7442中文资料pdf

发布时间:2020-02-17 08:44人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON7442样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON7442顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON7442引脚图

免费提供MOS管AON7442参数以及AON7442中文资料和AON7442中文资料pdf下载阅读观看!


说明

最新沟槽功率阿尔法金属氧化物半导体(α金属氧化物半导体低压)技术4.5VGS时的极低RDS(开)低栅极电荷高电流能力

符合RoHS和无卤素标准


产品摘要

VDS   30V

ID(at VGS = 10V)   50A

RDS(ON)(at VGS = 10V)   <1.9mΩ

RDS(ON)(at VGS = 4.5V)   <3.3mΩ 


MOS管AON7442参数

品牌:AOS

型号:AON7442

批号:19+

封装:DFN 3.3x3.3 EP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

系列:TrenchFET®

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:N沟道

FET功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.8A

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):35毫欧@6.4A,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.4V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC@4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):-

功率(最大值):1.1W

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)

供应商器件封装:8-SO


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