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MOS管AON7510_AON7510参数_AON7510中文资料pdf

发布时间:2020-02-17 09:16人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON7510样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON7510顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON7510引脚图

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说明

最新沟槽功率阿尔法金属氧化物半导体(α金属氧化物半导体低压)技术极低无线电数据率(开)低栅极电荷高电流能力

符合RoHS和无卤素标准


产品摘要

VDS   30V

ID(at VGS = 10V)   75A

RDS(ON)(at VGS = 10V)   <1.25mΩ

RDS(ON)(at VGS = 4.5V)   <2.1mΩ


MOS管AON7510参数

品牌:AOS

型号:AON7510

批号:2015+

封装:DFN

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:AlphaMOS

包装:带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):45A(Ta),75A(Tc)

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):140nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):4500pF@15V

FET功能:-

功率耗散(最大值):4.1W(Ta),46W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):1.25毫欧@20A,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3)

封装/外壳:8-PowerVDFN


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