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MOS管AON7520_AON7520参数_AON7520中文资料pdf

发布时间:2020-02-17 10:08人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON7520样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON7520顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON7520引脚图

免费提供MOS管AON7520参数以及AON7520中文资料和AON7520中文资料pdf下载阅读观看!


说明

最新沟槽功率晶体管技术2.5伏VGS时的极低无线电数据速率(开)低栅极电荷静电放电保护

符合RoHS和无卤素标准


产品摘要

VDS   30V

ID(at VGS = 10V)   50A

RDS(ON)(at VGS = 10V)   <1.8mΩ

RDS(ON)(at VGS = 4.5V)   <2.1mΩ

RDS(ON)(at VGS = 2.5V)   <3.1mΩ


MOS管AON7520参数

品牌:AOS

型号:AON7520

批号:19+

封装:DFN3.3x3.3

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V

系列:AlphaMOS

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):4175pF@15V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):48A(Ta),50A(Tc)

漏源极电压(Vdss):30V

技术:MOSFET(金属氧化物)

FET类型:N沟道

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

制造商标准提前期:16 周

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

封装/外壳:8-PowerWDFN

供应商器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3)

安装类型:表面贴装(SMT)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):1.8毫欧@20A,10V

功率耗散(最大值):6.2W(Ta),83.3W(Tc)

FET功能:-

栅源电压 Vgss:±12V

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):105nC@10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA


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