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MOS管AON3414_AON3414参数_AON3414中文资料pdf

发布时间:2020-02-07 10:44人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON3414样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON3414顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON3414引脚图

免费提供MOS管AON3414参数以及AON3414中文资料和AON3414中文资料pdf下载阅读观看!


说明

沟槽功率阿尔法金属氧化物半导体技术

低呼吸窘迫综合征(接通)

高电流能力

符合RoHS和无卤素标准


产品摘要

VDS    30V

ID (at VGS = 10V)   10.5A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <17mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V)   <23mΩ 


MOS管AON3414参数

品牌:AOS

型号:AON3414

批号:19+

封装:DFN 3x3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:P沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):6.5A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.1V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):14.4nC@4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1496pF@15V

栅源电压 Vgss:±8V

FET功能:-

功率耗散(最大值):2.5W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):38毫欧@5A,4.5V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-SO

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)


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