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MOS管AON3419_AON3419参数_AON3419中文资料pdf

发布时间:2020-02-07 11:27人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON3419样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON3419顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON3419引脚图

免费提供MOS管AON3419参数以及AON3419中文资料和AON3419中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AON3419结合了先进的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管提供低电阻封装的技术极低的呼吸窘迫综合征(接通)。这种装置是负载开关的理想选择和电池保护应用。


产品摘要

VDS   -30V

ID (at VGS = -10V)   -10A

RDS(ON) (at VGS = -10V)   <19mΩ

RDS(ON) (at VGS = -4.5V)   <32mΩ 


MOS管AON3419参数

品牌:AOS

型号:AON3419

批号:19+

封装:DFN 3x3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

系列:SDMOS™

包装:带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):7.5A(Ta),54A(Tc)

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):38nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2420pF@50V

FET功能:-

功率耗散(最大值):3.1W(Ta),150W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):21毫欧@20A,10V

工作温度:-55°C~175°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63


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