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MOS管AON3814_AON3814参数_AON3814中文资料pdf

发布时间:2020-02-07 12:10人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON3814样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON3814顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON3814引脚图

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说明

AON3814采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(开)、低栅极电荷和操作栅极电压低至1.8V,同时保持12VVGS(最大)评级。它是防静电的。这个装置是合适的为了用作单向或双向负载开关,通过其共漏极配置而变得容易。


产品摘要

VDS   20V

ID (at VGS = 4.5V)   6A

RDS(ON) (at VGS = 4.5V)   <17mW

RDS(ON) (at VGS = 4V)    <18.5mW

RDS(ON) (at VGS = 3.1V)   <23mW

RDS(ON) (at VGS = 2.5V)   <24mW 


MOS管AON3814参数

品牌:AOS

型号:AON3814

批号:19+

封装:DFN 3x3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:带卷(TR) 

FET类型:2N沟道(双)共漏

FET功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):-

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):17毫欧@6A,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.1V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):13nC@4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1100pF@10V

功率(最大值):2.5W

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

封装/外壳:8-SMD,扁平引线

供应商器件封装:8-DFN(2.9x2.3)


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