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MOS管AON3818_AON3818参数_AON3818中文资料pdf

发布时间:2020-02-07 14:52人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON3818样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON3818顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON3818引脚图

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说明

沟槽电源α金属氧化物半导体低压技术

低呼吸窘迫综合征(接通)

低栅极电荷

静电放电保护

符合RoHS和无卤素标准


产品摘要

VDS   24V

ID (at VGS = 4.5V)   8A

RDS(ON) (at VGS = 4.5V)   <13.5mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.0V)   <14mΩ

RDS(ON) (at VGS = 3.7V)   <15mΩ

RDS(ON) (at VGS = 3.1V)   <17mΩ

RDS(ON) (at VGS = 2.5V)   <21mΩ

典型静电放电保护    HBM级


MOS管AON3818参数

品牌:AOS

型号:AON3818

批号:19+

封装:DFN 3x3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:AlphaMOS

包装:带卷(TR) 

FET类型:2N沟道(双)共漏

FET功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):24V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):8A

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):13.5毫欧@8A,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):15nC@4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):840pF@12V

功率(最大值):2.7W

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

封装/外壳:8-SMD,扁平引线

供应商器件封装:8-DFN(2.9x2.3)


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