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MOS管AON7296_AON7296参数_AON7296中文资料pdf

发布时间:2020-02-08 15:30人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON7296样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON7296顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON7296引脚图

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说明

AON7296采用沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管技术独特优化,提供最高效的高频率切换性能。传导和开关功率损耗因RDS(开)、Ciss和Coss的组合极低。该器件非常适合升压转换器和同步转换器消费类、电信、工业电源整流器和发光二极管背光。


产品摘要

VDS   100V

ID (at VGS = 10V)   12.5A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <66mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V)   <90mΩ


MOS管AON7296参数

品牌:AOS

型号:AON7296

批号:19+

封装:DFN

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:带卷(TR) 

FET类型:P沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):16A(Ta),32A(Tc)

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.7V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):58nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2142pF@15V

FET功能:-

功率耗散(最大值):3.1W(Ta),96W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):8.5毫欧@16A,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-DFN(3x3)

封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线


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