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MOS管AON7403_AON7403参数_AON7403中文资料pdf

发布时间:2020-02-09 09:09人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON7403样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON7403顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON7403引脚图

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说明

AON7403采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(开)和超低栅极电荷栅极额定值为25V。该设备适合用作负载开关或在脉宽调制应用中。


产品摘要

VDS   -30V

ID (at VGS = -10V)   -29A

RDS(ON) (at VGS = -10V)   <18mW

RDS(ON) (at VGS = -5V)    <36mW 


MOS管AON7403参数

品牌:AOS

型号:AON7403

批号:18+

封装:QFN

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:P沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):11A(Ta),29A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):24nC@15V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1400pF@15V

栅源电压 Vgss:±25V

FET功能:-

功率耗散(最大值):3.1W(Ta),25W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):18毫欧@8A,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-DFN(3x3)

封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线


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