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MOS管AON7414_AON7414参数_AON7414中文资料pdf

发布时间:2020-02-09 11:30人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON7414样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON7414顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON7414引脚图

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说明

AON7414结合了先进的沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管提供低电阻封装的技术无线电数据系统极低(接通)。该装置是负载开关的理想选择和电池保护应用。


产品摘要

VDS   30V

ID (at VGS = 10V)   20A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <15mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V)   <20mΩ 


MOS管AON7414参数

品牌:AOS

型号:AON7414

批号:19+

封装:DFN 3x3 EP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):15.8A(Ta),40A(Tc)

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.4V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1300pF@15V

FET功能:-

功率耗散(最大值):3.1W(Ta),62W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):8毫欧@20A,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-DFN(3x3)

封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线


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