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MOS管AON6290_AON6290参数_AON6290中文资料pdf

发布时间:2020-02-21 09:55人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON6290样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON6290顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON6290引脚图

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说明

AON6290采用沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管技术独特优化,提供最高效的高频率切换性能。传导和开关功率损耗因RDS(开)、Ciss和Coss的组合极低。该器件非常适合升压转换器和消费电子、电信、工业用同步整流器电源和发光二极管背光。


产品摘要

VDS   100V

ID (at VGS = 10V)   85A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <4.6mW

RDS(ON) (at VGS = 6V)    <6.2mW 


MOS管AON6290参数

品牌:AOS

型号:AON6290

批号:19+

封装:DFN5*6

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):28A(Ta),85A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.4V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):90nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):4600pF@50V

栅源电压 Vgss:±20V

FET功能:-

功率耗散(最大值):7.3W(Ta),208W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):4.6毫欧@20A,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-DFN(5x6)

封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线


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