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MOS管AON6298_AON6298参数_AON6298中文资料pdf

发布时间:2020-02-21 10:56人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON6298样品图
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说明

AON6298采用沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管技术独特优化,提供最高效的高频率切换性能。传导和开关功率损耗因RDS(开)、Ciss和Coss的组合极低。该器件非常适合升压转换器和同步转换器消费类、电信、工业电源整流器和发光二极管背光。


产品摘要

VDS   100V

ID (at VGS = 10V)   46A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <16.5mΩ

RDS(ON) (at VGS = 6V)   <21mΩ 


MOS管AON6298参数

品牌:AOS

型号:AON6298

批号:19+

封装:DFN5*6

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):14.5A(Ta),46A(Tc)

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.4V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):23nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1307pF@50V

FET功能:-

功率耗散(最大值):7.4W(Ta),78W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):16.5毫欧@20A,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-DFN(5x6)

封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线


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