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MOS管AON6314_AON6314参数_AON6314中文资料pdf

发布时间:2020-02-24 09:00人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON6314样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON6314顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON6314引脚图

免费提供MOS管AON6314参数以及AON6314中文资料和AON6314中文资料pdf下载阅读观看!


说明

沟槽功率场效应晶体管技术低呼吸窘迫综合征(接通)低栅极电荷高电流能力

符合RoHS和无卤素标准


产品摘要

VDS   30V

ID (at VGS = 10V)   85A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <2.8mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V)   <3.5mΩ


MOS管AON6314参数

品牌:AOS

型号:AON6314

批号:19+

封装:DFN 5x6 EP1

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):14.5A(Ta),46A(Tc)

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.4V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):23nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1307pF@50V

FET功能:-

功率耗散(最大值):7.4W(Ta),78W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):16.5毫欧@20A,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-DFN(5x6)

封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线


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