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MOS管AON6411_AON6411参数_AON6411中文资料pdf

发布时间:2020-02-26 16:18人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON6411样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON6411顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON6411引脚图

免费提供MOS管AON6411参数以及AON6411中文资料和AON6411中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AON6411结合了先进的沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管提供低电阻封装的技术极低的呼吸窘迫综合征(接通)。这种装置是负载开关的理想选择和电池保护应用。


产品摘要

VDS   -20

ID (at VGS = -10V)   -85A

RDS(ON) (at VGS = -10V)   <2.1mΩ

RDS(ON) (at VGS = -4.5V)   <2.5mΩ

RDS(ON) (at VGS = -2.5V)   <3.6mΩ 


MOS管AON6411参数

品牌:AOS

型号:AON6411

批号:19+

封装:DFN5*6

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:P沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):47A(Ta),85A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.3V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):330nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):10290pF@10V

栅源电压 Vgss:±12V

FET功能:-

功率耗散(最大值):7.3W(Ta),156W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):2.1毫欧@20A,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-DFN(5x6)

封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线


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