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MOS管AON6452_AON6452参数_AON6452中文资料pdf

发布时间:2020-02-27 19:18人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON6452样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON6452顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON64523引脚图

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说明

AON6452采用深亚微米沟槽制造将出色的无线电数据系统(开)与低门相结合的技术充电。结果是卓越的效率和可控的转换行为。这种通用技术很好适用于脉宽调制、负载切换和通用应用程序。


产品摘要

VDS   100V

ID (at VGS = 10V)   26A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <25mΩ

RDS(ON) (at VGS = 7V)   <31mΩ 


MOS管AON6452参数

品牌:AOS

型号:AON6452

批号:19+

封装:DFN5*6

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:SDMOS™

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):6.5A(Ta),26A(Tc)

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):34nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2200pF@50V

FET功能:-

功率耗散(最大值):2W(Ta),35W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):25毫欧@20A,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-DFN(5x6)

封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线


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