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MOS管AON6522_AON6522参数_AON6522中文资料pdf

发布时间:2020-02-28 10:37人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON6522样品图
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说明

最新沟槽功率阿尔法金属氧化物半导体(α金属氧化物半导体低压)技术4.5VGS时的极低RDS(开)低栅极电荷高电流能力

符合RoHS和无卤素标准


产品摘要

VDS   25V

ID (at VGS = 10V)   200A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <0.95mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V)   <1.3mΩ


MOS管AON6522参数

品牌:AOS

型号:AON6522

批号:19+

封装:DFM5*6

栅源电压 Vgss:±20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):54A(Ta),150A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线

供应商器件封装:8-DFN(5x6)

安装类型:表面贴装(SMT)

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):1.7毫欧@20A,10V

功率耗散(最大值):7.4W(Ta),83W(Tc)

FET功能:-

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):3430pF@15V

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):64nC@10V

漏源极电压(Vdss):30V

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

系列:-

制造商标准提前期:16 周

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)


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