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MOS管AON6278_AON6278参数_AON6278中文资料pdf

发布时间:2020-02-19 14:24人气:
  • AOS美国万代 MOS管AON6278样品图
  • AOS美国万代 MOS管AON6278顶视图
  • AOS美国万代 MOS管AON6278引脚图

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说明

AON6278采用沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管技术独特优化,提供最高效的高频率切换性能。传导和开关功率损耗因RDS(开)、Ciss和Coss的组合极低。该器件非常适合升压转换器和同步转换器消费类、电信、工业电源整流器和发光二极管背光。


产品摘要

VDS   80V

ID (at VGS = 10V)   85A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <3.3mΩ

RDS(ON) (at VGS = 6V)    <4.6mΩ 


MOS管AON6278参数

品牌:AOS

型号:AON6278

批号:19+

封装:DFN 5x6

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:N和P沟道,共漏

FET功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):12A

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):30毫欧@12A,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):10.8nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):650pF@20V

功率(最大值):2W

工作温度:-55°C~175°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

封装/外壳:TO-252-5,DPak(4引线+接片),TO-252AD

供应商器件封装:TO-252-4L


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