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MOS管AO4354_AO4354参数_AO4354中文资料pdf

发布时间:2020-01-14 18:20人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO4354样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO4354引脚图

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说明

最新沟槽电源阿尔法金属氧化物半导体(α金属氧化物半导体低压)技术4.5VGS时,RDS(开)极低低栅极电荷高电流能力符合RoHS和无卤素标准


产品摘要

VDS   30V

ID (at VGS=10V) 23A

RDS(ON) (at VGS=10V)  <3.7mΩ

RDS(ON) (at VGS=4.5V)  <5.3mΩ


MOS管AO435参数

品牌:AOS

型号:AO4354

批号:19+

封装:SOP-8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):23A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):49nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2010pF@15V

栅源电压 Vgss:±20V

FET功能:-

功率耗散(最大值):3.1W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):3.7毫欧@20A,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-SOIC

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)


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