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MOS管AO4406A_AO4406A参数_AO4406A中文资料pdf

发布时间:2020-01-14 19:11人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO4406A样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO4406A引脚图


免费提供MOS管AO4406A参数以及AO4406A中文资料和AO4406A中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AO4406A采用先进的沟槽技术以低栅极电荷提供优异的导通电阻。该装置适用于SMPS高端开关通用应用。


产品摘要

VDS   30V

ID (at VGS =10V) 13A

RDS(ON) (at VGS =10V)  <11.5mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V)  <15.5mΩ


MOS管AO4406A参数

品牌:AOS

型号:AO4406A

批号:19+

封装:SO-8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:带卷(TR) 

FET类型:P沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A(Ta)

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.3V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11.3nC@4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1128pF@15V

FET功能:-

功率耗散(最大值):3.1W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):46毫欧@6.1A,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-SOIC

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)


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