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MOS管AO4407A_AO4407A参数_AO4407A中文资料pdf

发布时间:2020-02-04 09:22人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO4407A样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO4407A引脚图

免费提供MOS管AO4407A参数以及AO4407A中文资料和AO4407A中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AO4407A采用先进的沟槽技术提供出色的导通电阻和超低栅极电荷栅极额定值为25V。该设备适合用作负载开关或脉宽调制应用。


产品摘要

VDS = -30V

ID = -12A (VGS = -20V)

RDS(ON) < 11mΩ (VGS = -20V)

RDS(ON) < 13mΩ (VGS = -10V)

RDS(ON) < 17mΩ (VG S= -6V)


MOS管AO4407A参数

品牌:AOS

型号:AO4407A

批号:19+

封装:SOP-8

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):39nC@10V

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):12A(Ta)

技术:MOSFET(金属氧化物)

FET类型:P沟道

系列:-

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA

漏源极电压(Vdss):30V

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

制造商标准提前期:16 周

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm宽)

供应商器件封装:8-SOIC

安装类型:表面贴装(SMT)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):11毫欧@12A,20V

功率耗散(最大值):3.1W(Ta)

FET功能:-

栅源电压 Vgss:±25V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2600pF@15V


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