您好,欢迎访问深圳市富荣达科技有限公司!
13424229608
深圳市富荣达科技有限公司
您的位置:主页 > 产品中心 > SO-8系列 >

MOS管AO4419_AO4419参数_AO4419中文资料pdf

发布时间:2020-02-04 11:08人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO4419样品图
  • AOS美国万代 MOS管4419引脚图

免费提供MOS管AO4419参数以及AO4419中文资料和AO4419中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AO4419结合了先进的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管提供低电阻封装的技术非常低的电阻。该装置是负载开关的理想选择和电池保护应用。


产品摘要

VDS   -30V

ID (at VGS = -10V) -9.7A

RDS(ON) (at VGS = -10V) <20mΩ

RDS(ON) (at VGS = -4.5V) <35mΩ


MOS管AO4419参数

品牌:AOS

型号:AO4419

批号:19+

封装:SOP8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:P沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):9.7A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.7V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):32nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1900pF@15V

栅源电压 Vgss:±20V

FET功能:-

功率耗散(最大值):3.1W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):20毫欧@9.7A,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-SOIC

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)


推荐资讯

在线客服
电话询价
微信询价