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MOS管AO4430_AO4430参数_AO4430中文资料pdf

发布时间:2020-02-05 09:36人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO4430样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO4430引脚图

免费提供MOS管AO4430参数以及AO4430中文资料和AO4430中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AO4430采用先进的沟槽技术来提供出色的导通电阻、击穿抗扰度、体二极管特性和超低栅极电阻。这个装置是非常适合用作笔记本电脑中央处理器的低端开关核心功率转换。

符合RoHS和无卤素标准。


产品摘要

VDS (V) = 30V

ID = 18A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 5.5mΩ (VG S= 10V)

RDS(ON) < 7.5mΩ (VGS = 4.5V)


MOS管AO4430参数

品牌:AOS

型号:AO4430

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):5.5 毫欧 @ 18A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):124nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7270pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SOIC

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


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