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MOS管AO4435_AO4435参数_AO4435中文资料pdf

发布时间:2020-02-05 10:36人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO4435样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO4435引脚图

免费提供MOS管AO4435参数以及AO4435中文资料和AO4435中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AO4435采用先进的沟槽技术提供出色的导通电阻和超低栅极电荷栅极额定值为25V。该设备适合用作负载开关或脉宽调制应用。

符合RoHS -AO4435无卤素。


产品摘要

VDS  = -30V

ID = -10.5A (VGS = -20V)

RDS(ON) <14mΩ (VGS = -20V)

RDS(ON) <18mΩ (VGS = -10V)

RDS(ON) <36mΩ (VGS = -5V)


MOS管AO4435参数

品牌:AOS

型号:AO4435

批号:新年份

封装:SOP-8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:P沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):10.5A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,20V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):24nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1400pF@15V

栅源电压 Vgss:±25V

FET功能:-

功率耗散(最大值):3.1W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):14毫欧@11A,20V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-SOIC

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)


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