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MOS管AO4468_AO4468参数_AO4468中文资料pdf

发布时间:2020-02-05 11:12人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO4468样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO4468引脚图

免费提供MOS管AO4468参数以及AO4468中文资料和AO4468中文资料pdf下载阅读观看!


说明

Ao4468结合了先进的沟槽 mosfet 技术和低电阻封装,提供了极低的 rds (on)。 这个装置是理想的负载开关和电池保护应用


产品摘要

VDS   30V

ID (at VGS = 10V)   10.5A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <17mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V)   <23mΩ


MOS管AO4468参数

品牌:AOS

型号:AO4468

批号:19+

封装:SOP-8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):10.5A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):24nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1200pF@15V

栅源电压 Vgss:±20V

FET功能:-

功率耗散(最大值):3.1W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):14毫欧@11.6A,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:8-SOIC

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)


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