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MOS管AO4803A_AO4803A参数_AO4803A中文资料pdf

发布时间:2020-02-06 11:45人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO4803A样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO4803A引脚图

免费提供MOS管AO4803A参数以及AO4803A中文资料和AO4803A中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AO4803A采用先进的沟槽技术以低栅极电荷提供出色的RDS(开)。这该器件适合用作负载开关或脉宽调制应用程序。


产品摘要

VDS   -30V

ID (at VGS = -10V)   -5A

RDS(ON) (at VGS = -10V)   <46mΩ

RDS(ON) (at VGS = -4.5V)   <74mΩ


MOS管AO4803A参数

品牌:AOS

型号:AO4803A

批号:19+

封装:SOP-8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:2个P沟道(双)

FET功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):5A

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):46毫欧@5A,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):520pF@15V

功率(最大值):2W

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)

供应商器件封装:8-SOIC


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