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MOS管AO4805_AO4805参数_AO4805中文资料pdf

发布时间:2020-02-06 12:33人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO4805样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO4805引脚图

免费提供MOS管AO4805参数以及AO4805中文资料和AO4805中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AO4805结合了先进的沟槽场效应晶体管提供低电阻封装的技术无线电数据系统极低(接通)。该装置是负载开关的理想选择和电池保护应用。


产品摘要

VDS    -30V

ID (at VGS = -20V)   -9A

RDS(ON) (at VGS = -20V)   <15mΩ

RDS(ON) (at VGS = -10V)   <18mΩ 


MOS管AO4805参数

品牌:AOS

型号:AO4805

批号:19+

封装:SOP8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:2个P沟道(双)

FET功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):9A

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):19毫欧@8A,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.8V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):39nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2600pF@15V

功率(最大值):2W

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)

供应商器件封装:8-SOIC


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