您好,欢迎访问深圳市富荣达科技有限公司!
13424229608
深圳市富荣达科技有限公司
您的位置:主页 > 产品中心 > SO-8系列 >

MOS管AO4807_AO4807参数_AO4807中文资料pdf

发布时间:2020-02-06 13:41人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO4807样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO4807引脚图

免费提供MOS管AO4807参数以及AO4807中文资料和AO4807中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AO4807采用先进的沟槽技术来提供出色的RDS(开)和超低低栅极电荷。这该器件适合用作负载开关或脉宽调制应用程序。


产品摘要

VDS   -30V

ID (at VGS = -10V)   -6A

RDS(ON) (at VGS = -10V)   <35mΩ

RDS(ON) (at VGS = -4.5V)   <58mΩ

100% UIS 测验

100% Rg 测验


MOS管AO4807参数

品牌:AOS

型号:AO4807

批号:19+

封装:SO-8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:2个P沟道(双)

FET功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):35毫欧@6A,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.4V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):16nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):760pF@15V

功率(最大值):2W

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)

供应商器件封装:8-SO


推荐资讯

在线客服
电话询价
微信询价