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MOS管AO3400A_AO3400A参数_AO3400A中文资料pdf

发布时间:2019-12-23 15:25人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO3400A样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO3400A引脚图

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说明

AO3400A 将先进的沟槽 MOSFET技术与低电阻封装相结 合,提供极低的 RDS(ON)。 该器件适合用作负载开关或在 PWM 应用中使用。 

产品摘要

30V N沟道MOSFET
VDS     30V 
ID(在 VGS=10V时) 5.7a  
RDS(ON)(VGS=10V) < 26.5MW 
RDS(ON)(VGS=4.5 V 时) < 32MW 
RDS(ON)(VGS=2.5 V 时) < 48MW

MOS管AO3400A参数
品牌:AOS
型号:AO3400A
批号:19+
封装:SOT23-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
系列:-
FET类型:N沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss):30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.7A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):7nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):630pF@15V
栅源电压 Vgss:±12V
FET功能:-
功率耗散(最大值):1.4W(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):26.5毫欧@5.7A,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
安装类型:表面贴装(SMT)
供应商器件封装:SOT-23-3L
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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