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MOS管AO3400_AO3400参数_AO3400中文资料pdf

发布时间:2019-12-22 15:27人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO3400样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO3400引脚图

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说明
AO3400结合了先进的沟槽MOSFET低电阻封装技术提供R DS(ON)极低。该设备适合用作负载开关或在PWM应用中。
 
产品概要
30V N沟道MOSFET
V DS    30伏
I D(在V GS = 10V时)5.8A
R DS(ON)(在V GS = 10V时)<28米Ω
R DS(ON)(在V GS = 4.5V时)<33米Ω
R DS(ON)(在V GS = 2.5V时)<52米Ω

MOS管AO3400参数
品牌:AOS
型号:AO3400
批号:19+
封装:SOT23-3
供应商设备包:SOT-23-3
包装/箱:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装形式:表面安装
场效应晶体管特性:-
功耗(最大值):1.4W(Ta)
Vgs(最大):±12V
输入电容(Ciss)(最大值)@Vds:630pF@15V
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs:7nC@4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id:1.45V @ 250µA
无线电数据系统开启(最大值)@Id,Vgs:1.45V @ 250µA
驱动电压(最大开启,最小开启):2.5V,10V
电流-25°C时的连续漏极(Id):5.8A(Ta)
漏源电压(Vdss):30V
技术:MOSFET(金属氧化物)
场效应管类型:N沟道
零件状态:初步
系列:-
制造商:Alpha Omega Semiconductor Inc.
类别:分立半导体产品
 

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