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MOS管AO3406_AO3406参数_AO3406中文资料pdf

发布时间:2019-12-23 16:14人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO3406样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO3406引脚图

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说明
AO3406采用先进的沟槽技术,提供出色的 RDS(ON)和低栅极电荷。 该器件适合用作负载开关或在PWM应用中使用。

产品概要
VDS    30V
ID  (at VGS=10V)  3.6A
RDS(ON) (at VGS=10V)  <50mΩ
RDS(ON) (at VGS =4.5V)  <70mΩ
 
MOS管AO3406参数
品牌:AOS
型号:AO3406
批号:19+
封装:SOT-23
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
制造商标准提前期:16 周
系列:-
包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 
FET类型:N沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss):30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.6A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):5nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):210pF@15V
栅源电压 Vgss:±20V
FET功能:-
功率耗散(最大值):1.4W(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):50毫欧@3.6A,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
安装类型:表面贴装(SMT)
供应商器件封装:SOT-23-3L
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

 

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