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MOS管AO3407A_AO3407A参数_AO3407A中文资料pdf

发布时间:2020-01-03 11:12人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO3407A样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO3407A引脚图

免费提供MOS管AO3407A参数以及AO3407A中文资料和AO3407A中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AO3407A采用先进的沟槽技术以低栅极电荷提供优异的导通电阻。这该器件适合用作负载开关或脉宽调制应用程序。


产品摘要

VDS   -30V

ID(at VGS =-10V)   -4.3A

RDS(ON)(at VGS =-10V)   <48mΩ

RDS(ON)(at VGS =-4.5V)   <78mΩ


MOS管AO3407A参数

品牌:AOS

型号:AO3407A

批号:2019+

封装:SOT-23-3

FET功能:-

功率耗散(最大值):1.4W(Ta)

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):315pF@15V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.4V@250µA

FET类型:P沟道

系列:-

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23-3L

安装类型:表面贴装(SMT)

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):115毫欧@2.6A,10V

栅源电压 Vgss:±12V

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):7.2nC@10V

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.6A(Ta)

漏源极电压(Vdss):30V

技术:MOSFET(金属氧化物)

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

制造商标准提前期:16 周

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求


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