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MOS管AO3414_AO3414参数_AO3414中文资料pdf

发布时间:2020-01-06 19:15人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO3414样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO3414引脚图

免费提供MOS管AO3414参数以及AO3414中文资料和AO3414中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AO3414采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(开)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V时工作。这该器件适合用作负载开关或脉宽调制应用程序。


产品摘要

VDS = 20V

ID = 3A (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 62mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 70mΩ (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 85mΩ (VGS = 1.8V)


MOS管AO3400参数

品牌:AOS/万代

型号:AO3414

批号:19+

封装:S0T-23SOT-23-3L

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.3V@250µA

系列:-

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

供应商器件封装:SOT-23-3L

栅源电压 Vgss:±12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):4A(Ta)

漏源极电压(Vdss):30V

技术:MOSFET(金属氧化物)

FET类型:P沟道

制造商标准提前期:16 周

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

安装类型:表面贴装(SMT)

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):44毫欧@4.3A,10V

功率耗散(最大值):1.4W(Ta)

FET功能:-

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1200pF@15V

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12.2nC@4.5V


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