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MOS管AO3416_AO3416参数_AO3416中文资料pdf

发布时间:2020-01-10 22:10人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO3416样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO3416引脚图

免费提供MOS管AO3416参数以及AO3416中文资料和AO3416中文资料pdf下载阅读观看!


 说明


AO3416采用先进的沟槽技术来提供出色的导通电阻、低栅极电荷和栅极操作低至1.8V的电压。该器件适用于负载开关或脉宽调制应用。这是静电放电受到保护。


产品摘要

VDS   20V

ID(at VGS =4.5V)   6.5A

RDS(ON)(at VGS =4.5V)    <22mΩ

RDS(ON) (at VGS = 2.5V)   <26mΩ

RDS(ON) (at VGS = 1.8V)   <34mΩ


MOS管AO3416参数

品牌:AOS

型号:AO3416

批号:19+

封装:SOT23-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):6.5A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):16nC@4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1160pF@10V

栅源电压 Vgss:±8V

FET功能:-

功率耗散(最大值):1.4W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):22毫欧@6.5A,4.5V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:SOT-23-3L

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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