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MOS管AO3422_AO3422参数_AO3422中文资料pdf

发布时间:2020-01-10 15:11人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO3422样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO3422引脚图

免费提供MOS管AO3422参数以及AO3422中文资料和AO3422中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AO3422采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(开)和低栅极电荷。它提供在2.5V至200℃的宽栅极驱动范围内工作12V。该设备适合用作负载开关。


产品摘要

VDS (V) = 55V

ID = 2.1A (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 160mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 200mΩ (VGS = 2.5V)


MOS管AO3422参数

品牌:AOS

型号:AO3422

批号:19+

封装:SOT23-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:P沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):3A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):6.1nC@4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):540pF@10V

栅源电压 Vgss:±8V

FET功能:-

功率耗散(最大值):1.4W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):97毫欧@3A,4.5V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:SOT-23-3L


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