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MOS管AO3485_AO3485参数_AO3485中文资料pdf

发布时间:2020-01-11 09:31人气:
  • AOS美国万代 MOS管AO3485样品图
  • AOS美国万代 MOS管AO3485引脚图

免费提供MOS管AO3485参数以及AO3485中文资料和AO3485中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AO3485采用先进的沟槽技术来提供出色的导通电阻、低栅极电荷和栅极操作低至1.8V的电压。该器件适用于a负载开关应用


产品摘要

VDS   -20V

ID (at VGS =-4.5V) -4A

RDS(ON) (at VGS = -4.5V) < 41mΩ

RDS(ON) (at VGS = -2.5V) < 53mΩ

RDS(ON) (at VGS = -1.8V) < 65mΩ


MOS管AO3485参数

品牌:AOS

型号:AO3485

批号:2019+

封装:SOT23

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):650mA(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):-

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):27pF@30V

栅源电压 Vgss:±20V

FET功能:-

功率耗散(最大值):1.4W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):1.7欧姆@650mA,10V

工作温度:-55°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:SOT-23-3L

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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