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MOS管AOD2N60_AOD2N60参数_AOD2N60中文资料pdf

发布时间:2020-03-02 09:49人气:
  • AOS美国万代 MOS管AOD2N60样品图
  • AOS美国万代 MOS管AOD2N60引脚图

免费提供MOS管AOD2N60参数以及AOD2N60中文资料和AOD2N60中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AOD2N60和AOU2N60是用一种先进的高压金属氧化物半导体场效应晶体管工艺旨在提供高水平的性能和流行的交流DC应用中的鲁棒性。通过提供低RDS(开)、Ciss和Crss以及保证雪崩能力这些器件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计。


产品摘要

VDS   700V@150℃

ID (at VGS = 10V)   2A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <4.4Ω 


MOS管AOD2N60参数

品牌:AOS

型号:AOD2N60

批号:19+

封装:TO-252

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):2A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):325pF@25V

栅源电压 Vgss:±30V

FET功能:-

功率耗散(最大值):56.8W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):4.4欧姆@1A,10V

工作温度:-50°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63


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