您好,欢迎访问深圳市富荣达科技有限公司!
13424229608
深圳市富荣达科技有限公司
您的位置:主页 > 产品中心 > TO-252系列 >

MOS管AOD5N40_AOD5N40参数_AOD5N40中文资料pdf

发布时间:2020-03-02 13:53人气:
  • AOS美国万代 MOS管AOD5N40样品图
  • AOS美国万代 MOS管AOD5N40引脚图

免费提供MOS管AOD5N40参数以及AOD5N40中文资料和AOD5N40中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AOD5N40和AOI5N40是用先进的高压金属氧化物半导体场效应晶体管工艺在以下方面提供高水平的性能和稳定性流行的交流DC应用。通过提供低RDS(开)、Ciss和Crss以及保证雪崩能力这些器件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计。


产品摘要

VDS   500V@150℃

ID (at VGS = 10V)   4.2A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <1.6Ω


MOS管AOD5N40参数

品牌:AOS

型号:AOD5N40

批号:19+

封装:TO-252

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):400V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.2A(Tc)

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):8.5nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):400pF@25V

FET功能:-

功率耗散(最大值):78W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):1.6欧姆@1A,10V

工作温度:-50°C~150°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63


推荐资讯

在线客服
电话询价
微信询价