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MOS管AOD240_AOD240参数_AOD240中文资料pdf

发布时间:2020-03-02 14:55人气:
  • AOS美国万代 MOS管AOD240样品图
  • AOS美国万代 MOS管AOD240引脚图

免费提供MOS管AOD240参数以及AOD240中文资料和AOD240中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AOD240采用沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管技术经过独特优化,可提供最高效的频率切换性能。功率损耗是由于极低的无线电数据系统(接通)和通信系统。此外,切换行为良好用“肖特基型”软恢复体二极管控制。


产品摘要

VDS   40V

ID (at VGS = 10V)   70A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <3mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V)   <3.9mΩ


MOS管AOD240参数

品牌:AOS

型号:AOD240

批号:19+

封装:TO-252

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):23A(Ta),70A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):60nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):4300pF@20V

栅源电压 Vgss:±20V

FET功能:-

功率耗散(最大值):2.7W(Ta),150W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):3毫欧@20A,10V

工作温度:-55°C~175°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63


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