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MOS管AOD403_AOD403参数_AOD403中文资料pdf

发布时间:2020-03-04 10:45人气:
  • AOS美国万代 MOS管AOD403样品图
  • AOS美国万代 MOS管AOD403引脚图

免费提供MOS管AOD403参数以及AOD403中文资料和AOD403中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AOD403/AOI403采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(开)、低栅极电荷和低栅极反抗。具有优异的耐热性DPAK/IPAK封装,该器件非常适合高当前负载应用。


产品摘要

VDS   -30V

ID (at VGS = -20V)   -70A

RDS(ON) (at VGS = -20V)   <6.2mΩ (<6.7mΩ∗)

RDS(ON) (at VGS = -10V)   <8mΩ (<8.5mΩ∗)


MOS管AOD403参数

品牌:AOS

型号:AOD403

批号:19+

封装:TO-252

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

工作温度:-55°C~175°C(TJ)

栅源电压 Vgss:±25V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.5V@250µA

制造商标准提前期:16 周

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

安装类型:表面贴装(SMT)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):6毫欧@20A,20V

功率耗散(最大值):2.5W(Ta),90W(Tc)

FET功能:-

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):5300pF@15V

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):120nC@10V

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V,20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):15A(Ta),70A(Tc)

漏源极电压(Vdss):30V

技术:MOSFET(金属氧化物)

FET类型:P沟道

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

系列:-

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)


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