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MOS管AOD407_AOD407参数_AOD407中文资料pdf

发布时间:2020-03-04 12:47人气:
  • AOS美国万代 MOS管AOD407样品图
  • AOS美国万代 MOS管AOD407引脚图

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说明

AOD407采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(开),低栅极电荷和低栅极电阻。凭借出色的散热性能DPAK包的阻力,这个装置很好适合高电流负载应用。


产品摘要

VDS (V) =   -60V

ID = -12A  (VGS = -10V)

RDS(ON)   <115mW  (VGS=-10V)

RDS(ON)   <150mW  (VGS=-4.5V) 


MOS管AOD407参数

品牌:AOS

型号:AOD407

批号:19+

封装:TO-252

工作温度:-55°C~175°C(TJ)

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC@10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):60V

系列:-

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

安装类型:表面贴装(SMT)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):115毫欧@12A,10V

功率耗散(最大值):2.5W(Ta),50W(Tc)

FET功能:-

栅源电压 Vgss:±20V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1185pF@30V

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):12A(Tc)

FET类型:P沟道

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

制造商标准提前期:16 周

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求


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