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MOS管AOD450_AOD450参数_AOD450中文资料pdf

发布时间:2020-03-07 08:01人气:
  • AOS美国万代 MOS管AOD450样品图
  • AOS美国万代 MOS管AOD450引脚图

免费提供MOS管AOD450参数以及AOD450中文资料和AOD450中文资料pdf下载阅读观看!


说明

AOD450采用先进的沟槽技术旨在以低栅极电荷提供出色的RDS(开)。该装置适用于逆变器、负载切换和通用应用。


产品摘要

VDS   200V

ID (at VGS = 10V)   3.8A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <0.70Ω 


MOS管AOD450参数

品牌:AOS

型号:AOD450

批号:19+

封装:TO-252

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.8A(Tc)

不同Id时的Vgs(th)(最大值):6V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3.82nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):215pF@25V

FET功能:-

功率耗散(最大值):2.1W(Ta),25W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):700毫欧@3.8A,15V

工作温度:-55°C~175°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63


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