您好,欢迎访问深圳市富荣达科技有限公司!
1348888888
深圳市富荣达科技有限公司
您的位置:主页 > 产品中心 > TO-252系列 >

MOS管AOD516_AOD516参数_AOD516中文资料pdf

发布时间:2020-03-07 08:33人气:
  • AOS美国万代 MOS管AOD516样品图
  • AOS美国万代 MOS管AOD516引脚图

免费提供MOS管AOD516参数以及AOD516中文资料和AOD516中文资料pdf下载阅读观看!


说明

最新的沟槽功率场效应晶体管技术4.5V VGS时的极低RDS(开)低栅极电荷高电流能力

符合RoHS和无卤素标准


产品摘要

VDS   30V

ID (at VGS = 10V)   46A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <5mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V)   <10mΩ


MOS管AOD516参数

品牌:AOS

型号:AOD516

批号:19+

封装:TO-252

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

系列:-

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):18A(Ta),46A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):33nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1229pF@15V

栅源电压 Vgss:±20V

FET功能:-

功率耗散(最大值):2.5W(Ta),50W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):5毫欧@20A,10V

工作温度:-55°C~175°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63


推荐资讯

在线客服
电话询价
微信询价