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MOS管AOD2922_AOD2922参数_AOD2922中文资料pdf

发布时间:2020-03-09 09:01人气:
  • AOS美国万代 MOS管AOD2922样品图
  • AOS美国万代 MOS管AOD2922引脚图

免费提供MOS管AOD2922参数以及AOD2922中文资料和AOD2922中文资料pdf下载阅读观看!


说明

最新沟槽功率晶体管技术极低无线电数据率(开)低栅极电荷针对快速切换应用进行了优化

符合RoHS和无卤素标准


产品摘要

VDS   100V

ID (at VGS = 10V)   7A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <140mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V)   <176mΩ


MOS管AOD2922参数

品牌:AOS

型号:AOD2922

批号:19+

封装:TO-252

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

制造商标准提前期:16 周

系列:AlphaMOS

包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

FET类型:N沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.5A(Ta),7A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.7V@250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):10nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):310pF@50V

栅源电压 Vgss:±20V

FET功能:-

功率耗散(最大值):5W(Ta),17W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):140毫欧@5A,10V

工作温度:-55°C~175°C(TJ)

安装类型:表面贴装(SMT)

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63


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