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场效应管型号大全【最新最全介绍】

发布时间:2020-03-16 09:27人气:

随着市场上的场效应管需求变大了以后,市面上出现了很多不同品牌不同规格的场效应管,很多新手朋友都不知道该怎么选场效应管型号,下面小编整理了一些常用的场效应管型号大全供大家参考。如果有需要的朋友可以联系我们网站在线客服咨询购买哈!


MOS管选型

最近在推MOS管的过程中,遇到一些问题,最主要的是一个品牌交换参数的对应问题,很多时候我们只关注了电流电压满足请求,性能上的比拟我们很少做比拟,

在MOS管选择方面,系统请求相关的几个重要参数是:

1. 负载电流IL。它直接决议于MOSFET的输出才能;

2. 输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比才能限制;

3. mos开关频率FS。这个参数影响MOSFET开关霎时的耗散功率;

4. MOSFET最大允许工作温度。这要满足系统指定的牢靠性目的。


场效应管型号大全:

供大家参考:

场效应管型号大全【最新最全介绍】第1图

场效应管型号大全【最新最全介绍】第2图

场效应管型号大全【最新最全介绍】第3图


MOSFET设计选择:

一旦系统的工作条件(负载电流,开关频率,输出电压等)被肯定,功率MOSFET在参数方面的选择如下:

1 RDSON的值。最低的导通电阻,能够减小损耗,并让系统较好的工作。但是,较低电阻的MOSFET较高电阻器件。

2 散热。假如空间足够大,能够起到外部散热效果,就能够以较低本钱取得与较低RDSON一样的效果。也能够运用外表贴装MOSFET到达同样效果,详见下文第15行。

3 MOSFET组合。假如板上空间允许,有时分,能够用两个较高RDSON的器件并联,以取得相同的工作温度,并且本钱较低。


计算MOSFET的功率损耗及其壳温:


在MOSFET工作状态下,有三局部功率损耗:

1. MOSFET在完整翻开以后(可变电阻区)的功率损耗:PON=ILoad2 × RDSON ×占空比ILoad为最大直流输出电流。

2. MOSFET在翻开上升时功率损耗:PTRON= (ILoad × VDS × Tr ×FS)/ 2

3. MOSFET在截止状态下的功耗:PTRON= (ILoad × VDS × Tf ×Fs)/ 2


其中:Tf 是MOSFET的降落时间。

在连续形式开关调理器中,占空比等于 Vout/Vin。

VDS是漏源之间的最大电压,关于非同步转换器,VDS=VIN+VOUT 。关于一个同步转换器,升压MOSFET的VDS=VIN ,降压MOSFET则是VDS=VF 。其中VF是肖特基势垒的正向压降。

我们如今能够计算MOSFET的温度。器件的结温可表示为TA+(PD × θCA)或TA+(PD × θSA)。其中,TA 为环境温度,PD是上述1、2、3项的功耗之和,θCA是由管壳到环境的导热系数,QSA则是从热沉到环境的导热系数。这些公式,都是假定从结到管壳的导热系数(~1℃/W)与其他热阻相比是负的。


没有一个简单的办法去选择MOSFET与热沉分离,使本钱最低。由于这里有多种设计选择合适于变换器系统设计母板。但是,表2中的电子数据,为母板设计员给出了一种便当,便于剖析各种选择,包括正确选择性能和低本钱的折中。该数据表曾经被收进各种电子文本。


场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。


按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型又分n沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。


场效应管的型号命名方法

现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。


第二种命名方法是AO××#,AO代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如AO3400、AO4407等。


以上就是小编针对场效应管型号大全以及命名方法整理的相关资料,希望能够帮助到大家,如果大家需要购买MOS管(场效应管)的话,可以联系网站在线客服沟通,保证百分百原装正品。


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