您好,欢迎访问深圳市富荣达科技有限公司!
13424229608
深圳市富荣达科技有限公司
您的位置:主页 > 新闻动态 > 行业资讯 >

场效应管与晶体管的比较【详细讲解】

发布时间:2020-03-25 11:18人气:

很多新手朋友都不知道MOS场效应管和晶体管的区别,下面小编就来详细讲解一下关于场效应管和晶体管的区别,看完这篇文章后应该会能够帮助到新手朋友们了解到场效应管和晶体管有哪些区别了。


场效应管与晶体管的比较

(1)场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,在信号源额定电流极小的情况,应选用场效应管。

(2)场效应管是多子导电,而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感,因此,对于环境变化较大的场合,采用场效应管比较合适。

(3)场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外,还可作压控可变线性电阻使用。

(4)场效应管的源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此,使用场效应管比晶体管灵活。

(5)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。


场效应管与晶体管的比较第1图


场效应管的应用领域

场效应管(fet)是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小,具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点,在大规模和超大规模集成电路中被应用。场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势,在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的,虽然多数已经内置了保护二极管,但稍不注意,也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。


场效应管的使用优势

场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比三极管好。


以前的技术比较落后,生产的晶体三极管体积较大,性能落后,参数参差不齐。上世纪90年代的家电普遍是晶体三极管和其他电子元件组装而成,如台式调幅和短波收音机,以及黑白电视机等。受电子元件性能和体积限制,那时候的电子产品体积都较大、笨重,从线路板上能看出几乎都是纯手工组装焊接的。


场效应管与晶体管的比较第2图


那时候半导体提炼技术不够先进,半导体晶体纯度不够高,晶体三极管放大倍数较小。晶体三极管有三个管脚,也称为三个极,分别是基极B 、发射极E和集电极C。晶体三极管基本特点可以简单理解为放大电流,从基极输入一个很小的电流,在集电极会有个同步变化的放大的电流,两个电流之比可以简单理解为三极管的放大倍数。电流过大过小都不能正常放大,因此三极管使用中要调节静态工作电流,使其工作在放大区域。另外三极管集电极电流不能超过规定大小,否则会过热烧毁。三极管在使用中,不可避免存在发热现象,效率较低,很多场合已经用场效应管替代了。


场效应管与晶体管的比较第3图


场效应管也是半导体材料制作而成,它也有三个极,分别是源极S、栅极G和漏极D。我们可以对比着简单理解为,场效应管的源极S、栅极G和漏极D分别对应于三极管的发射极E、基极B、集电极C,不同的是场效应管是电压控制,给栅极G施加不同的控制电压,可以控制S与D的导通截止,以及导通程度,也可以认为具有放大作用,因为其G极电流很小对前级电流几乎没有影响。


场效应管与晶体管的比较第4图


综上所述,简单概况一下,晶体三极管是电流控制电子元件,能放大信号电流,工作时发热大、效率低。场效应管是电压控制元件,也能放大信号,工作时发热小、效率高。晶体三极管受温度影响较大,场效应管在温度变化时,更加稳定可靠。在应用在开关电路中场效应管优势更加明显,因此开关电源内几乎都是采用后者。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。


推荐资讯

在线客服
电话询价
微信询价