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手把手教你认识mos管的参数含义

发布时间:2019-12-23 17:33人气:

mos管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
 
 
主要参数
 
1.开启电压VT
 
·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;
 
·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;
 
·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。
 
2. 直流输入电阻RGS
 
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比。
 
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示。
 
·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
 
3. 漏源击穿电压BVDS
 
·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS。
 
·ID剧增的原因有下列两个方面:
 
(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿
 
(2)漏源极间的穿通击穿
 
·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID。
 
4. 栅源击穿电压BVGS
 
·在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。
 
5. 低频跨导gm
 
·在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导。
 
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。
 
·是表征MOS管放大能力的一个重要参数。
 
·一般在十分之几至几mA/V的范围内。
 
6. 导通电阻RON
 
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数。
 
·在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间。
 
·由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近。
 
·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内。
 
7. 极间电容
 
·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS。
 
·CGS和CGD约为1~3pF。
 
·CDS约在0.1~1pF之间。
 
8. 低频噪声系数NF
 
·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。
 
·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化。
 
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB)。
 
·这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小。
 
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数。
 
·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小。

以上就是小编整理的mos管的参数含义信息,希望能对你有所帮助!

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