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场效应管参数信息及24n50场效应管参数【参数及图详解】

发布时间:2020-08-20 18:37人气:

                                                                                                                                                                                   
作为国内专业生产二极管晶体管的厂家,生产技术非常成熟。进口测试仪器可以帮助客户和朋友稳定他们的质量。也有专业工程师控制质量,帮助客户和朋友解决客户无法解决的问题。每天,我们都会分享一些知识或客户问题。今天,我们分享24n50场效应管参数功率,希望能帮助到一些新手朋友,尤其是24n50场效应管的参数,下面就仔细跟大家讲解下,让新手朋友也能通俗易懂。
 
场效应管主要参数信息介绍
Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压。
UGS=0时的漏源电流。
Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.
Ut — 开启电压.是指加强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.
gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制才能,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.
gM是权衡场效应管放大才能的重要参数.
BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能接受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必需小于BVDS.
PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.
运用时,场效应管实践功耗应小于PDSM并留有一定余量。
IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许经过的最大电流.场效应管的工作电流不应超越。
 
IDSMCds---漏-源电容
Cdu---漏-衬底电容
Cgd---栅-漏电容
Cgs---漏-源电容
Ciss---栅短路共源输入电容
Coss---栅短路共源输出电容
Crss---栅短路共源反向传输电容
D---占空比(占空系数,外电路参数)
di/dt---电流上升率(外电路参数)
dv/dt---电压上升率(外电路参数)
ID---漏极电流(直流)
IDM---漏极脉冲电流
ID(on)---通态漏极电流
IDQ---静态漏极电流(射频功率管)
IDS---漏源电流
IDSM---最大漏源电流
IDSS---栅-源短路时,漏极电流
IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)
IG---栅极电流(直流)
IGF---正向栅电流
IGR---反向栅电流
IGDO---源极开路时,截止栅电流
IGSO---漏极开路时,截止栅电流
IGM---栅极脉冲电流
IGP---栅极峰值电流
IF---二极管正向电流
IGSS---漏极短路时截止栅电流
IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流
Iu---衬底电流
Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)
gfs---正向跨导
Gp---功率增益
Gps---共源极中和高频功率增益
GpG---共栅极中和高频功率增益
GPD---共漏极中和高频功率增益
ggd---栅漏电导
gds---漏源电导
K---失调电压温度系数
Ku---传输系数L---负载电感(外电路参数)
LD---漏极电感
Ls---源极电感
rDS---漏源电阻
rDS(on)---漏源通态电阻
rDS(of)---漏源断态电阻
rGD---栅漏电阻
rGS---栅源电阻
Rg---栅极外接电阻(外电路参数)
RL---负载电阻(外电路参数)
R(th)jc---结壳热阻
R(th)ja---结环热阻
PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率
PIN--输入功率
POUT---输出功率
PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)
to(on)---开通延迟时间
td(off)---关断延迟时间
ti---上升时间
ton---开通时间
toff---关断时间
tf---降落时间
trr---反向恢复时间
Tj---结温
Tjm---最大允许结温
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Tstg---贮成温度
VDS---漏源电压(直流)
VGS---栅源电压(直流)
VGSF--正向栅源电压(直流)
VGSR---反向栅源电压(直流)
VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数)
VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)
Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)
VGS(th)---开启电压或阀电压V(BR)
DSS---漏源击穿电压V(BR)
GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压
VDS(sat)---漏源饱和电压
VGD---栅漏电压(直流)
Vsu---源衬底电压(直流)
VDu---漏衬底电压(直流)
VGu---栅衬底电压(直流)
Zo---驱动源内阻
η---漏极效率(射频功率管)
Vn---噪声电压
aID---漏极电流温度系数
ards---漏源电阻温度系数
 
24n50场效应管参数
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:500 V
闸/源击穿电压:+/- 30 V
漏极连续电流:24 A
导通电阻:200 mOhms
配置:Single
工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-3PN
封装:Tube
商标:Fairchild Semiconductor
下降时间:155 ns
正向跨导 - 值:22 S
工作温度:- 55 C
功率耗散:290 W
上升时间:250 ns
系列:FQA24N50
工厂包装数量:30
典型关闭延迟时间:200 ns
 


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