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k3683场效应管参数n道沟脚位【最新详细信息】

发布时间:2020-08-19 23:41人气:

场效应晶体管简称场效应晶体管。主要有两种类型(结型场效应晶体管——JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(简称金属氧化物半导体场效应晶体管)。多数载流子传导也称为单极晶体管。它属于压控半导体器件。它具有高输入电阻(107 ~ 1015)、低噪声、低功耗、大动态范围、易集成、无二次击穿、安全工作区宽等优点,已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。

场效应晶体管是通过控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件。因为它仅通过半导体中的多数载流子导电,所以也被称为单极晶体管。场效应晶体管的英文单词是场效应晶体管,缩写为场效应晶体管。

场效应管特性

第一:场效应晶体管是一种电压控制器件,它通过VGS(栅极-源极电压)来控制漏极直流电流;

第二:场效应晶体管的输出DC电极很小,所以它的输出电阻很大。

第三:它使用少数载流子导热,所以它的测量稳定性更好;

第四:由三元组组成的简化路径的小电还原系数小于由三元组组成的简化路径的小电还原系数;

第五:场效应晶体管具有很强的抗辐射能力;

第六:因为没有散杂居的少数民族儿童活动造成的散粒噪音,因为噪音低。

K3683场效应管参数

型号: K3683

反压: 500v

电流: 19A

功率: 270

频率: -

代换: 18N50 20N50 22N50的N沟道MOSFET

备注: 用于设备电源部分

封装:TO-220F

极限电压:500(V)

极限电流:19(A)

用途:用于设备电源部分

沟道类型:N沟道

代换:18N50  20N50  22N50的N沟道MOSFET

K3683场效应管n道沟脚位

1、P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V,如果S为2.8V,G为2.8V,VGSw,那么mos管不导通,D为0V,所以,如果2.8V连接到S,要mos管导通为系统供电,系统连接到D,利用G控制。

那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使mos管关断,低电平使mos管导通。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V,那么GPIO高电平的时候为1.8V,GS为1.8-2.8=-1V,mos管导通,不能够关断。

GPIO为低电平的时候,假如0.1V,那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。

2、P沟道的源极S接输入,漏极D导通输出,N沟道相反,说白了给箭头方向相反的电流就是导通,方向相同就是截止。

以上就是小编根据k3683场效应管参数的一些信息以及n道沟脚位为各位整理的最新详细信息数据,希望对各位能有一定的帮助。


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